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[한국경제TV 이휘경 기자]



삼성전자의 국가 핵심기술을 중국 반도체 기업으로 이직해 부정 사용, 중국 최초의 18나노 D램을 개발한 전직 임원과 연구원들이 구속 기소됐다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 삼성전자 전직 임원 양모씨와 연구원 출신 신모씨, 권모씨 등 3명을 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 재판에 넘겼다고 밝혔다.
양씨 등은 삼성전자에서 중국 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지)로 이직해 해당 회사의 '2기 개발팀' 핵심 인력으로 참여했다. 이 과정에서 불법 유출된 삼성의 18나노 D램 공정 기술을 불법 사용해 개발을 마무리한 혐의를 받는다.
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CXMT는 중국 지방정부가 2조6,000억원을 들여 세운 현지 최초 D램 기업이다. 이번에 유출된 기술은 삼성전자가 1조6,000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술이다.
검찰은 이미 지난해 CXMT의 '1기 개발팀'에 합류했던 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 전모씨를 구속기소한 바 있다. 수사주식으로돈버는법
결과, 김씨는 삼성 퇴직자 A씨로부터 핵심 공정 자료를 불법 취득한 뒤 이를 토대로 연구를 진행한 것으로 드러났다.
이어 2기 개발팀을 맡은 양씨는 전체 개발을 총괄했으며, 신씨는 공정 개발, 권씨는 실무 총괄을 담당해 1기 개발팀으로부터 유출된 자료를 전달받아 검증과 제조 테스트를 수행했다. 결국 이들은 자료를 토대로 중국 최초이자 세릴게임야마토
계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했다.
검찰은 또 이들이 삼성전자 제품을 직접 분해·검증하면서 유출 자료의 신뢰성을 확인하고 완성 작업을 이어간 사실도 확인했다. 대가로 신씨 등은 4∼6년간 삼성 연봉의 3∼5배 수준인 15억∼30억원의 고액 연봉을 CXMT로부터 받은 것으로 조사됐다.
이번 사건으로 삼성전자가 입은민경무
매출 손실은 지난해 기준 5조원에 달하며, 향후 피해 규모는 최소 수십조원에 이를 수 있다는 게 검찰 추산이다. 기술 자료를 수백 단계 공정별로 노트에 베끼는 방식으로 유출한 A씨는 현재 인터폴 적색 수배 중이다.
(사진=연합뉴스) 이휘경기자 ddehg@wowtv.co.k